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Typical Characteristics
5
(continued)
1800
4
I D = 6.2A
V DS = 5V
10V
15V
1500
f = 1MHz
V GS = 0V
3
1200
C iss
900
2
600
1
0
300
0
C oss
C rss
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
100
5
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 C/W
T A = 25 C
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
100 μ s
4
o
o
10ms
100ms
3
1
V GS = 4.5V
DC
1s
2
R θ JA = 156 C/W
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
o
1
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
0.5
0.2
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 156 ° C/W
0.05
0.05
t 1
t 2
0.02
0.01
0.005
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDC637AN, Rev. C
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